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科研机构
西安理工大学 [3]
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会议论文 [3]
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2012 [1]
2010 [1]
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4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管终端设计
会议论文
第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议, 开封, 2012-11-07
作者:
曹琳
;
蒲红斌
;
陈治明
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提交时间:2019/12/20
结势垒肖特基二极管
碳化硅材料
浮结层
终端设计
4H-SiC浮结型肖特基势垒二极管的数值模拟
会议论文
中国电工技术学会电力电子学会第十二届学术年会, 哈尔滨, 2010-08-20
作者:
曹琳
;
蒲红斌
;
周少将
;
胡永涛
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提交时间:2019/12/20
4H-SiC浮结
肖特基势垒二极管
软度因子
数值模拟
浮结型碳化硅肖特基势垒功率二极管的优化设计
会议论文
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集中国电子学会;广州市科协, 广州, 2008-11-30
作者:
蒲红斌
;
曹琳
;
陈治明
;
任杰
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提交时间:2019/12/25
浮结型碳化硅 肖特基势垒 半经验模型 正向导通压降
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