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一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201210483461.X, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-03-27
作者:  史晶晶;  白云;  刘可安;  申华军;  汤益丹
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4H-SiC结型势垒肖特基(JBS)二极管的设计与研制及其关键工艺研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
王进泽
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基于超结结构的肖特基势垒二极管 期刊论文
2015, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 134-139
作者:  马奎;  杨发顺;  傅兴华
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