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内容类型
专利 [1]
学位论文 [1]
期刊论文 [1]
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2015 [3]
学科主题
半导体器件 [1]
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发表日期:2015
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一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法
专利
专利号: CN201210483461.X, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-03-27
作者:
史晶晶
;
白云
;
刘可安
;
申华军
;
汤益丹
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提交时间:2016/06/20
4H-SiC结型势垒肖特基(JBS)二极管的设计与研制及其关键工艺研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
王进泽
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2015/06/02
基于超结结构的肖特基势垒二极管
期刊论文
2015, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 134-139
作者:
马奎
;
杨发顺
;
傅兴华
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/01/05
击穿电压
导通电阻
肖特基势垒二极管
超结
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