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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2008 [1]
2005 [3]
学科主题
微电子学 [5]
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学科主题:微电子学
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Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: article no.56104
作者:
Yu F
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浏览/下载:93/6
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提交时间:2011/07/06
separation by oxygen implantation
buried oxide
nitrogen implantation
positive charge density
RADIATION HARDNESS
IMPLANTING NITROGEN
ION-IMPLANTATION
IMPROVEMENT
TECHNOLOGY
OXYGEN
LAYER
A VSLMS Style Tap-length Learning Algorithm for Structure Adaptation
会议论文
11th ieee singapore international conference on communication systems, guangzhou, peoples r china, nov 19-21, 2008
Yu, HM
;
Liu, ZL
;
Li, GS
收藏
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浏览/下载:36/0
  |  
提交时间:2010/03/09
Adaptive Filter
equalizer
structure adaptive
fractional tap-length
A novel low-power input-independent MOS AC/DC charge pump
会议论文
ieee international symposium on circuits and systems (iscas), kobe, japan, may 23-26, 2005
Yao, Y
;
Shi, Y
;
Dai, FF
收藏
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浏览/下载:346/81
  |  
提交时间:2010/03/29
Radiation hardness improvement of separation-by-implantation-of-oxygen/silicon-on-insulator material by nitrogen ion implantation
期刊论文
journal of electronic materials, 2005, 卷号: 34, 期号: 11, 页码: l53-l56
Zhang EX
;
Sun JY
;
Chen J
;
Zhang ZX
;
Wang X
;
Li N
;
Zhang GQ
;
Liu ZL
收藏
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浏览/下载:193/29
  |  
提交时间:2010/03/17
silicon-on-insulator (SOI)
A study on the realization of radio frequency energy AC/DC charge pump based on MOS FET
期刊论文
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 5, 页码: 2424-2428
Yuan Y
;
Yin S
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浏览/下载:34/19
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提交时间:2010/03/17
charge pump
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