QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：大连理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Inner surface device for microwave plasma-based low-energy ion implantation metal round pipe has assisting heating source coaxially arranged on outer part of processed metal pipe and uniformly heated in circumferential direction. 专利 申请日期: 2010-01-01, 公开日期: 2010-05-26 作者:  GAO F LEI M OU Y WU Z 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/24 Large area direct current (DC) pulse plasma base low energy implantation device for use in material surface engineering has low energy ion implantation power supply which outputs predetermined DC pulse negative bias voltage on sample table. 专利 申请日期: 2007-01-01, 公开日期: 2007-10-03 作者:  LEI M GUO J GAO F YUAN L ZHANG Z 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/27 Elemental sulphur ion composite implantation - for high precision parts in astronautics and mechanical engineering. 专利 申请日期: 1994-01-01, 公开日期: 1994-04-06 作者:  LI G WEN X SHI W 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/06