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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    发表日期：2010     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 First-principles prediction of the magnetism of 3d transition-metal-doped Rocksalt MgO 期刊论文 physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 10, 页码: 1292-1296 Shi LJ (Shi Li-Jie) 收藏  |  浏览/下载：18/3  |  提交时间：2010/04/13 Ferromagnetism  Half-metal  Double-exchange mechanism  TEMPERATURE FERROMAGNETISM  ELECTRIC PROPERTIES  ZNO FILMS  II-VI  SEMICONDUCTORS  SPINTRONICS  MODEL  SPIN  GAS   Electron spin dynamics in heavily Mn-doped (Ga,Mn)As 期刊论文 applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 26, 页码: article no.262109 作者:  Chen L;  Zhang XH 收藏  |  浏览/下载：63/6  |  提交时间：2011/07/05 SEMICONDUCTORS  TEMPERATURE  GAAS   Spin injection in the multiple quantum-well LED structure with the Fe/AlO (x) injector 期刊论文 science china-physics mechanics & astronomy, 2010, 卷号: 53, 期号: 4, 页码: 649-653 Wu H (Wu Hao); Zheng HZ (Zheng HouZhi); Liu J (Liu Jian); Li GR (Li GuiRong); Xu P (Xu Ping); Zhu H (Zhu Hui); Zhang H (Zhang Hao); Zhao JH (Zhao JianHua) 收藏  |  浏览/下载：81/2  |  提交时间：2010/05/04 spintronics  spin injection  light emitting diode  multiple quantum well  SEMICONDUCTOR SPINTRONICS   Temperature dependence of hole spin relaxation in ultrathin InAs monolayers 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 1597-1600 作者:  Zhang XH 收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2010/04/28 Ultrathin InAs monolayer  Hole spin relaxation  DP mechanism  SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS  WELLS  GAAS   Defects in gallium nitride nanowires: First principles calculations 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044305 Wang ZG (Wang Zhiguo); Li JB (Li Jingbo); Gao F (Gao Fei); Weber WJ (Weber William J.) 收藏  |  浏览/下载：105/1  |  提交时间：2010/10/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  GAN NANOWIRES  NATIVE DEFECTS  COMPLEXES  EPITAXY  GROWTH  ARRAYS