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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    发表日期：2006     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Dependence of intrinsic defects in ZnO films on oxygen fraction studied by positron annihilation 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 489-492 Peng CX; Weng HM; Yang XJ; Ye BJ; Cheng B; Zhou XY; Han RD 收藏  |  浏览/下载：235/9  |  提交时间：2010/04/11 P-TYPE ZNO  THIN-FILMS  ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  DEPOSITION  SUBSTRATE  VACANCIES  LAYER  BEAM  GAN   As-doped p-type ZnO films by sputtering and thermal diffusion process 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 4, 页码: art.no.043704 Wang P (Wang Peng); Chen NF (Chen Nuofu); Yin ZG (Yin Zhigang); Yang F (Yang Fei); Peng CT (Peng Changtao); Dai RX (Dai Ruixuan); Bai YM (Bai Yiming) 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/04/11 RAY-PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  INAS SURFACES  FABRICATION  DEPOSITION  LAYERS  OXIDE