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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    发表日期：2000     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence and Raman scattering of silicon nanocrystals prepared by silicon ion implantion into SiO2 films 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 3, 页码: 1439-1442 Li GH; Ding K; Chen Y; Han HX; Wang ZP 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 VISIBLE-LIGHT EMISSION  LUMINESCENCE BAND  DIOXIDE LAYERS  SIO2-FILMS  DEFECTS  BLUE  IMPLANTATION   Properties of proton-implanted p-type Si: supports for the models explaining a novel p-n junction in Si 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2000, 卷号: 160, 期号: 1, 页码: 190-193 Li JM; Gao M; Duan XF; Wang FL 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 silicon  ion implantation  electrical properties of semiconductors  defect  ION-IMPLANTATION  SILICON   Carbon film deposited by mass-selected low energy ion beam technique and ion bombardment effect 期刊论文 acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2186-2190 Liao MY; Zhang JH; Qin FG; Liu ZK; Yang SY; Wang ZG; Lee ST 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous carbon  ion bombardment  mass-selected low energy ion beam  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  BIAS-ENHANCED NUCLEATION  DIAMOND FILMS  RAMAN-SCATTERING  GROWTH  SILICON  MECHANISM   The formation and characteristics of Si1-xCx alloys in Si crystals by means of implantation of cions with different doses 期刊论文 acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2210-2213 Wang YS; Li JM; Jin YF; Wang YT; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 Si1-xCx alloy  ion implantation  solid phase epitaxy  CARBON