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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    发表日期：2006     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The effect of Be-doping structure in negative electron affinity GaAs photocathodes on integrated photosensitivity 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 12, 页码: 4104-4109 Wang XF; Zeng YP; Wang BQ; Zhu ZP; Du XQ; Li M; Chang BK 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/04/11 structure  NEA  integrated photosensitivity  GaAs  Cs : O  SPECTRAL RESPONSE  NEA PHOTOCATHODES  LAYER THICKNESS  CS  SURFACE  PHOTOEMISSION  SYSTEM