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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2008 [3]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
发表日期:2008
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Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269
作者:
Yang H
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Yang H
;
Zhang SM
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浏览/下载:182/43
  |  
提交时间:2010/03/08
Cathodoluminescence
MOCVD
AlGaN
Investigation of native defects and property of bulk ZnO single crystal grown by a closed chemical vapor transport method
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 3, 页码: 639-645
Wei, XC
;
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:51/0
  |  
提交时间:2010/03/08
defects
X-ray diffraction
growth from vapor
oxides
semiconducting II-VI materials
An evidence of defect gettering in GaN
期刊论文
physica b-condensed matter, 2008, 卷号: 403, 期号: 13-16, 页码: 2495-2499
Majid A
;
Ali A
;
Zhu JJ
;
Wang YT
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:54/7
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提交时间:2010/03/08
GaN
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