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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2013    专题：武汉大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication and characterization of Ag-implantation modificated TiO2 films followed with thermal annealing 会议论文 作者:  Mei, F.;  Cai, G. X.;  Jiang, C. Z.;  Stepanov, A. L.;  Ren, F. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/05 TiO2 film  Ion implantation  Photocatalytic efficiency   Investigation of magnetism in Fe and Cu ion implanted indium oxide films 会议论文 作者:  Wang, J. W.;  Chen, Y. X.;  Shi, Y. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05 In2O3 film  Ion implantation  Diluted magnetic semiconductor (DMS)  Room temperature ferromagnetism   Synthesis of graphene by MEVVA source ion implantation 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2013, 卷号: 305 作者:  Ying, J. J.;  Xiao, X. H.;  Dai, Z. G.;  Wu, W.;  Li, W. Q. 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/05 Ion implantation  Graphene   Fabrication and properties of TiO2 nanofilms on different substrates by a novel and universal method of Ti-ion implantation and subsequent annealing 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2013, 卷号: 24, 期号: 25 作者:  Ren, Feng;  Zhou, Xiao-Dong;  Liu, Yi-Chao;  Wang, Yong-Qiang;  Cai, Guang-Xu 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05 Vacancy-type defect production in CLAM steel after the co-implantation of He and H ion beams studied by positron-annihilation spectroscopy 期刊论文 JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS, 2013, 卷号: 432, 期号: 1-3 作者:  Xin, Yong;  Ju, Xin;  Qiu, Jie;  Guo, Liping;  Li, Tiecheng 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/05 The ion implantation-induced properties of one-dimensional nanomaterials 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2013, 卷号: 8 作者:  Li, Wen Qing;  Xiao, Xiang Heng;  Stepanov, Andrey L.;  Dai, Zhi Gao;  Wu, Wei 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/05 Nanomaterials  Ion implantation  Doping   Investigation of magnetism in Fe and Cu ion implanted indium oxide films 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2013, 卷号: 307 作者:  Wang, J. W.;  Chen, Y. X.;  Shi, Y. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05 In2O3 film  Ion implantation  Diluted magnetic semiconductor (DMS)  Room temperature ferromagnetism   Raman spectroscopy of few-layer graphene prepared by C-2-C-6 cluster ion implantation 会议论文 作者:  Liu, J. R.;  Wang, Z. S.;  Liu, C. S.;  Zhang, R.;  Zhang, Z. D. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05 Few-layer graphene  Raman spectra  Cluster ion implantation   Fabrication and evolution of nanostructure in Al2O3 single crystals by Zn ion implantation and thermal annealing 期刊论文 Vacuum, 2013, 卷号: 89, 期号: 1 作者:  Xiao, X.H.;  Jiang, C.Z.;  Cai, G.X.;  Zhou, X.D.;  Ren, F. 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/05 Raman spectroscopy of few-layer graphene prepared by C2-C 6 cluster ion implantation 期刊论文 Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2013, 卷号: 307 作者:  Fu, D.J.;  Liu, J.R.;  Wang, Z.S.;  Zhang, R.;  Zhang, Z.D. 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/05