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无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201310039941.1, 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2015
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用飞秒激光制备背入射硅基碲镉汞焦平面增透膜的方法 专利
专利号: 201110071308.1, 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-12-20
作者:  1 张姗 2 胡晓宁 3 廖洋 4 于晓明
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512x8中波TDI红外探测器成像系统设计 期刊论文
红外技术, 2013, 卷号: 35, 期号: 2
作者:  潘胜达;  林长青
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一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法 专利
专利号: 201110355252.2, 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-12-20
作者:  1 廖清君 2胡晓宁 3马伟平 4邢雯 5陈昱 6林春 7王建新
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长波碲镉汞材料阳极氧化膜ZnS界面电学特性参数的研究 期刊论文
红外与毫米波学报, 2013, 卷号: 32, 期号: 2
王妮丽; 刘诗嘉; 兰添翼; 赵水平; 李向阳
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碲镉汞  MIS  钝化  
一种天线耦合碲镉汞太赫兹探测器 专利
专利号: 201110191846.4, 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-12-20
作者:  1 黄志明 2 陆金星 3 黄敬国 4 周 炜 5 沈学民 6 魏彦锋 7 侯 云 8 高艳卿 9 褚君浩
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