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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhancing the thermal stability of NiGe by prior-germanidation fluorine implantation into Ge substrate 期刊论文 Japanese Journal of Applied Physics, 2018 作者:  Zhang D(张丹);  Wang WW(王文武);  Chen DP(陈大鹏);  Li JF(李俊峰);  Liu S(刘实) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/20 The radiation hardness of the nitrogen-fluorine implanted buried oxide layer in silicon-on-insulator materials against higher total dose irradiation. 期刊论文 SCIENCE CHINA Materials, 2016 作者:  Liu ZL(刘忠立);  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊);  Zheng ZS(郑中山) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/05/08