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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Proton Irradiation Effect on InP-Based High Electron Mobility Transistor by Numerical Simulation with Non-Uniform Induced Acceptor-Like Defects 期刊论文 PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2018 作者:  Jin Z(金智);  Shuxiang Sun;  Mingming Chang;  Chao Zhang;  Chao Cheng 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/04/19