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科研机构
半导体研究所 [19]
内容类型
期刊论文 [17]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2008 [2]
2006 [1]
2003 [3]
2000 [1]
1999 [5]
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专题:半导体研究所
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Nanostructural instability of single-walled carbon nanotubes during electron beam induced shrinkage
期刊论文
carbon, 2011, 卷号: 49, 期号: 9, 页码: 3120-3124
Zhu XF
;
Li LX
;
Huang SL
;
Wang ZG
;
Lu GQ
;
Sun CH
;
Wang LZ
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浏览/下载:25/3
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提交时间:2011/07/05
IRRADIATION
NANOCAVITY
Neutron irradiation effect in two-dimensional electron gas of algan/gan heterostructures
期刊论文
Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1045-1048
作者:
Zhang Ming-Lan
;
Wang Xiao-Liang
;
Xiao Hong-Ling
;
Wang Cui-Mei
;
Ran Jun-Xue
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Neutron irradiation effect in two-dimensional electron gas of AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1045-1048
Zhang, ML
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
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浏览/下载:49/3
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提交时间:2010/03/08
TRANSPORT
PROTON
HEMTS
Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383
Zhao YW (Zhao Y. W.)
;
Dong ZY (Dong Z. Y.)
;
Deng AH (Deng A. H.)
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/04/11
indium phosphide
defect
irradiation
THERMALLY STIMULATED CURRENT
UNDOPED SEMIINSULATING INP
DEEP-LEVEL DEFECTS
FRENKEL PAIRS
FE
SPECTROSCOPY
PHOSPHIDE
AMBIENT
TRAPS
Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient
期刊论文
Microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 333-339
作者:
Wang, QY
;
Wang, JH
;
Deng, HF
;
Lin, LY
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Neutron irradiation
Annealing
Defects in silicon
Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient
期刊论文
microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 333-339
Wang QY
;
Wang JH
;
Deng HF
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
neutron irradiation
annealing
defects in silicon
SPECTRA
Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient
会议论文
iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Wang QY
;
Wang JH
;
Deng HF
;
Lin LY
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/15
neutron irradiation
annealing
defects in silicon
SPECTRA
The improvement characteristics of homoepitaxial GaAs grown by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 191-193
Wang HL
;
Zhu HJ
;
Ning D
;
Wang H
;
Wang XD
;
Guo ZS
;
Feng SL
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浏览/下载:83/0
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提交时间:2010/08/12
atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
deep level transient spectroscopy
deep level defects
DISLOCATION DENSITY
IRRADIATION
First charge collection and position-precision data on the medium-resistivity silicon strip detectors before and after neutron irradiation up to 2x10(14) n/cm(2)
期刊论文
Nuclear instruments & methods in physics research section a-accelerators spectrometers detectors and associated equipment, 1999, 卷号: 426, 期号: 1, 页码: 38-46
作者:
Li, Z
;
Dezilllie, B
;
Eremin, V
;
Li, CJ
;
Verbitskaya, E
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Strip detectors
Silicon detectors
Annealing
Simulation
Irradiation
Neutron irradiation-infrared based measurement method for interstitial oxygen in heavily boron-doped silicon
期刊论文
Semiconductor science and technology, 1999, 卷号: 14, 期号: 1, 页码: 74-76
作者:
Wang, QY
;
Ma, ZY
;
Cai, TH
;
Yu, YH
;
Lin, LY
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/05/12
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