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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2009 [1]
2008 [3]
学科主题
半导体化学 [4]
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学科主题:半导体化学
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Defect evolution and accompanied change of electrical properties during the GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2009, 卷号: 487, 期号: 1-2, 页码: 400-403
作者:
Zhang SM
;
Jiang DS
;
Zhu JJ
;
Guo X
;
Wang YT
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提交时间:2010/03/08
Nitride materials
Promoting strain relaxation of Si0.72Ge0.28 film on Si (100) substrate by inserting a low-temperature Ge islands layer in UHVCVD
期刊论文
applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 2660-2664 part 2
Zhou ZW
;
Cai ZM
;
Li C
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Yu JZ
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浏览/下载:67/0
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提交时间:2010/03/08
Relaxed buffer
Zn2SiO4/ZnO Core/Shell Coaxial Heterostructure Nanobelts Formed by an Epitaxial Growth
期刊论文
journal of physical chemistry c, 2008, 卷号: 112, 期号: 42, 页码: 16312-16317
Cheng BC
;
Yu XM
;
Liu HJ
;
Wang ZG
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/03/08
LOW-TEMPERATURE GROWTH
Annihilation of deep level defects in InP through high temperature annealing
期刊论文
journal of physics and chemistry of solids, 2008, 卷号: 69, 期号: 39847, 页码: 551-554
Zhao, YW
;
Dong, ZY
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提交时间:2010/03/08
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