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Photoluminescence thermal quenching behaviors of Er-doped SiOx (x < 2) prepared by ion implantation 期刊论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2005, 卷号: 362, 期号: 1-4, 页码: 208-213
Zhang, CS; Xao, HB; Wang, YJ; Cheng, ZJ; Cheng, XL; Zhang, F
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Optimized implant dose and energy to fabricate high-quality patterned SIMOX SOI materials 期刊论文
SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2004, 卷号: 130, 期号: 3-4, 页码: 275-279
Dong, YM; Chen, J; Wang, X; Chen, M; Wang, X
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Spectroscopic ellipsometry study of SiC/Si heterostructures formed by high-dose C+ implantation into silicon 期刊论文
SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2000, 卷号: 116, 期号: 3, 页码: 177-180
Yang, SH; Chen, DH; Li, HQ; Zhang, YL; Mo, D; Wong, SP
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AN INFRARED-ABSORPTION BAND CAUSED BY H+ IMPLANTATION IN LINBO3 CRYSTALS 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 1991, 卷号: 3, 期号: 23, 页码: 4145-4150
FENG, XQ; SHAO, TH; ZHANG, JZ
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EFFECTS OF FLUORINE ION-IMPLANTATION ON SUPERCONDUCTING PROPERTIES OF YBA2CU3O7-X 期刊论文
SOLID STATE COMMUNICATIONS, 1990, 卷号: 76, 期号: 5, 页码: 663-666
LI,YJ; REN,CX; CHEN,GL; CHEN,JM; YANG,J; Zou,SC(邹世昌）
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ELECTRONIC-PROPERTIES OF A-SI-H AND A-SI-F FILMS PRODUCED BY ION-IMPLANTATION 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS, 1983, 卷号: 16, 期号: 33, 页码: L187-L192
BOHRINGER, K; LIU, XH; KALBITZER, S
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