QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：712.1 Semiconducting Materials - 932.1 High Energy Physics     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 氮生长掺杂和离子注入掺杂CVD金刚石薄膜的场电子发射 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 1999, 卷号: 20, 期号: 9, 页码: 780-785 作者:  邵乐喜;  谢二庆;  路永刚;  贺德衍;  陈光华 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/04/27 离子注入掺杂:4985  CVD金刚石薄膜:4865  金刚石膜:3516  开启电压:3419  掺杂金刚石薄膜:3304  场发射理论:2419  氮离子注入:2019  发射电流:1760  发射性能:1331  场电子发射:1300  Field electron emission  Growth doping