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西安光学精密机械研究... [3]
自动化研究所 [1]
内容类型
专利 [3]
学位论文 [1]
发表日期
1981 [4]
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发表日期:1981
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Semiconductor device
专利
专利号: JP1981118385A, 申请日期: 1981-09-17, 公开日期: 1981-09-17
作者:
FUKUDA HIROKAZU
;
SHINOHARA KOUJI
;
ITOU MICHIHARU
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提交时间:2020/01/18
几何模型化及其计算机实现
学位论文
工学硕士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院自动化研究所, 1981
苏鸿根
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2015/09/02
计算机图形学
Interactive Uomputer JRAPHICS
UAD System
Geometric Modelling
Ghepe Kepresentation
Uonditions for Well-Formed Surface
Modlling Ge
Semiconductor laser element and manufacture thereof
专利
专利号: JP1981110291A, 申请日期: 1981-09-01, 公开日期: 1981-09-01
作者:
YAMAMOTO SABUROU
;
MURATA KAZUHISA
;
HAYASHI HIROSHI
;
TAKENAKA TAKUO
;
YANO MORICHIKA
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提交时间:2020/01/18
Method of growing a doped III-V alloy layer by molecular beam epitaxy and a semiconductor device comprising a semiconductor substrate bearing an epitaxial layer of a doped III-V alloy grown by such a method
专利
专利号: EP0031180A2, 申请日期: 1981-07-01, 公开日期: 1981-07-01
作者:
ROBERTS, JOHN STUART
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提交时间:2019/12/31
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