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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2002     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of oxygen on the properties of titania nanoparticles prepared by MOCVD 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2002, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 1343-1346 Sun, YJ; Li, AZ; Qi, M; Zhang, LY; Yao, X 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  GAN BUFFER LAYER  AEROSOL-PARTICLES  PHASE HYDROLYSIS  THERMOPHORESIS  DECOMPOSITION  SUBSTRATE  MECHANISM  ALKOXIDE  POWDER   Interface-related in-plane optical anisotropy in GaAs/AlxGa1-xAs single-quantum-well structures studied by reflectance difference spectroscopy 期刊论文 physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 19, 页码: art.no.195321 作者:  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  EXCITON LOCALIZATION  INVERSION ASYMMETRY  COMMON-ATOM  LIGHT-HOLE  HETEROSTRUCTURES  SUPERLATTICES  POLARIZATION  SEGREGATION  MORPHOLOGY   Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  strain  molecular beam epitaxy  quantum dots  ELECTRONIC-STRUCTURE  PHOTOLUMINESCENCE  INTERDIFFUSION  TRANSITIONS  SPECTRA   Effect on the optical properties and surface morphology of cubic GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition using isoelectronic indium surfactant doping 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 207-211 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：92/4  |  提交时间：2010/08/12 crystal morphology  doping  surface structure  metalorgamc chemical vapor deposition  nitrides  semiconducting III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  FILMS  CATHODOLUMINESCENCE