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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Threshold Voltage Characteristics for Silicon Nanowire Field-Effect Transistor With a Double-Layer Gate Structure 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 771-776 作者:  Hongguan Yang 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/13 Logic  gates  Threshold  voltage  Silicon  MOSFET  Transconductance  Nanoscale  devices  Double-layer  gate  structure  MOS  devices  short-channel  effect  silicon  nanowire  (Si-NW)  threshold  voltage  characteristics   Threshold Voltage Characteristics for Silicon Nanowire Field-Effect Transistor With a Double-Layer Gate Structure 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 771-776 作者:  Yang, HG 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/17 Double-layer gate structure  MOS devices  short-channel effect  silicon nanowire (Si-NW)  threshold voltage characteristics   Exploring the direct rebound effect of residential electricity consumption: An empirical study in China 期刊论文 Applied Energy, 2017, 卷号: Vol.196, 页码: 132-141 作者:  Zhang, Y.-J.;  Peng, H.-R. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 Direct  rebound  effect  Panel  threshold  model  Residential  electricity  consumption   Synthesis of WS2xSe2-2x Alloy Nanosheets with Composition-Tunable Electronic Properties 期刊论文 Nano Letters, 2016, 卷号: Vol.16 No.1, 页码: 264-269 作者:  Duan, XD;  Wang, C;  Fan, Z;  Hao, GL;  Kou, LZ 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/31 Layered materials  transition metal dichalcogenide  semiconductor alloy  band gap engineering  field effect transistor  threshold voltage   Synthesis of WSSe Alloy Nanosheets with Composition-Tunable Electronic Properties 期刊论文 Nano Letters, 2016, 卷号: Vol.16 No.1, 页码: 264-269 作者:  Duan, X.;  Wang, C.;  Fan, Z.;  Hao, G.;  Kou, L. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 band  gap  engineering  field  effect  transistor  Layered  materials  semiconductor  alloy  threshold  voltage  transition  metal  dichalcogenide   Electrical Characteristics of Extended Gate FET Sensing Chip Constructed for Detection of DNA 会议论文 Advanced Materials Research, 4189-4192, 2010 作者:  Cao, Z;  Xiao, ZL;  Dai, YL;  Kamahori, M;  Shimoda, M 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/05 Biochip  Capacitance  DNA Molecule  Electric Characteristics  Extended Gate Field Effect Transistor  Threshold Voltage   Measuring the Direct Rebound Effect of China's Residential Electricity Consumption 会议论文 Energy Procedia, 305-310, 2016 作者:  Zhang, YJ;  Peng, HR 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 Residential electricity consumption  energy rebound effect  panel threshold model