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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Quantum-mechanical effects and gate leakage current of nanoscale n-type FinFETs: A 2d simulation study 期刊论文 Microelectronics Journal, 2006, 卷号: 37 作者:  Weida Hu;  Xiaoshuang Chen *;  Xuchang Zhou;  Zhijue Quan;  Lu Wei 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2011/10/21 Relaxations and bonding mechanism in Hg1−xCdxTe with mercury vacancy defect: First-principles study 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2006, 卷号: 73 作者:  L. Z. Sun;  Xiaoshuang Chen;  Y. L. Sun;  X. H. Zhou;  Zh. J. Quan 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2011/10/21 Structural and electronic properties of the in situ impurity AsHg in Hg0.5Cd0.5Te: First-principles study 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2005, 卷号: 71 作者:  L. Z. Sun;  X. S. Chen;  Y. L. Sun;  X. H. Zhou;  Zh. J. Quan 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2011/11/08 First principle study on the bonding mechanism of nanoring structure Ga8As8 期刊论文 THE EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL D, 2005, 卷号: 34 作者:  L.Z. Sun;  X.S. Chen;  X.H. Zhou;  Y.L. Sun;  Zh.J. Quan 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2011/11/08