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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of growth conditions on the incorporation of substitutional C in Si1-x-yGexCy alloy on Si by chemical vapor deposition using C2H4 期刊论文 APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 1999, 卷号: 68, 期号: 4, 页码: 457-460 作者:  Jiang N;  Zang L;  Jiang RL;  Zhu SM;  Han P 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/11/21