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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Conductive graphene-based E-textile for highly sensitive, breathable, and water-resistant multimodal gesture-distinguishable sensors† 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY A, 2020, 卷号: 8, 期号: 29, 页码: 14778-14787 作者:  Xurui Hu;   Tao Huang;   Zhiduo Liu;   Gang Wang;   Da Chen;   Qinglei Guo;   Siwei Yang;   Zhiwen Jin;   Jong-Min Lee;   Guqiao Ding 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2021/06/22 An Electrically Modulated Single-Color/Dual-Color Imaging Photodetector 期刊论文 ADVANCED MATERIALS, 2020, 卷号: 32, 期号: 24, 页码: 1907257 作者:  Lin Li;   Hongyu Chen;   Zhimin Fang;   Xianyi Meng;   Chuantian Zuo;   Menglan Lv;   Yongzhi Tian;   Ying Fang;   Zuo Xiao;   Chongxin Shan;   Zhengguo Xiao;   Zhiwen Jin;   Guozhen Shen;   Liang Shen;   Liming Ding 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2021/06/17 Room temperature photoluminescence of tensile-strained ge/si0.13ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: 3 作者:  Chen, Yanghua;  Li, Cheng;  Zhou, Zhiwen;  Lai, Hongkai;  Chen, Songyan 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2019/05/12 Chemical vapour deposition  Elemental semiconductors  Energy gap  Germanium  Ge-si alloys  Photoluminescence  Semiconductor epitaxial layers  Semiconductor quantum wells  Silicon  Tensile strength   Promoting strain relaxation of si0.72ge0.28 film on si (100) substrate by inserting a low-temperature ge islands layer in uhvcvd 期刊论文 Applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 2660-2664 作者:  Zhou, Zhiwen;  Cai, Zhimeng;  Li, Cheng;  Lai, Hongkai;  Chen, Songyan 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Relaxed buffer  Sige film  Lt-ge layer  Strain relaxation  Uhvcvd   Comment on "use of si(+) pre-ion-implantation on si substrate to enhance the strain relaxation of the ge(x)si(1-x) metamorphic buffer layer for the growth of ge layer on si substrate" [appl. phys. lett. 90, 083507 (2007)] 期刊论文 Applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 15, 页码: 2 作者:  Zhou, Zhiwen;  Li, Cheng;  Chen, Songyan;  Lai, Hongkai;  Yu, Jinzhong 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 The influence of low-temperature ge seed layer on growth of high-quality ge epilayer on si(100) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 10, 页码: 2508-2513 作者:  Zhou, Zhiwen;  Li, Cheng;  Lai, Hongkai;  Chen, Songyan;  Yu, Jinzhong 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Characterization  Reflection high energy electron diffraction  X-ray diffraction  Chemical vapor deposition  Germanium