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半导体研究所 [17]
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期刊论文 [17]
发表日期
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2012 [1]
2010 [4]
2009 [5]
2008 [2]
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专题:半导体研究所
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Mid-infrared Photoconductive Response in AlGaN/GaN Step Quantum Wells
期刊论文
scientific reports, 2015, 卷号: 5, 页码: 14386
X. Rong
;
X. Q. Wang
;
G. Chen
;
X. T. Zheng
;
P. Wang
;
F. J. Xu
;
Z. X. Qin
;
N. Tang
;
Y. H. Chen
;
L. W. Sang
;
M. Sumiya
;
W. K. Ge
;
B. Shen
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2016/03/18
Can interference patterns in the reflectance spectra of GaN epilayers give important information of carrier concentration?
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 19, 页码: 191102
Zheng CC (Zheng, C. C.)
;
Xu SJ (Xu, S. J.)
;
Zhang F (Zhang, F.)
;
Ning JQ (Ning, J. Q.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Yang H (Yang, H.)
;
Che CM (Che, C. M.)
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2013/03/27
The growth of zno on bcc-in2o3 buffer layers and the valence band offset determined by x-ray photoemission spectroscopy
期刊论文
Solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 41-42, 页码: 1991-1994
作者:
Song, H. P.
;
Zheng, G. L.
;
Yang, A. L.
;
Guo, Y.
;
Wei, H. Y.
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
Zno
In2o3
Mocvd
Photoelectron spectroscopies
Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in inn films
期刊论文
Applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 139-143
作者:
Liu, B.
;
Zhang, Z.
;
Zhang, R.
;
Fu, D. Y.
;
Xie, Z. L.
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Highly efficient photoluminescence of er2sio5 films grown by reactive magnetron sputtering method
期刊论文
Journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 3, 页码: 411-414
作者:
Zheng, J.
;
Ding, W. C.
;
Xue, C. L.
;
Zuo, Y. H.
;
Cheng, B. W.
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Erbium silicate
Photoluminescence
Si photonics
The growth of ZnO on bcc-In2O3 buffer layers and the valence band offset determined by X-ray photoemission spectroscopy
期刊论文
solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 41-42, 页码: 1991-1994
Song HP (Song H. P.)
;
Zheng GL (Zheng G. L.)
;
Yang AL (Yang A. L.)
;
Guo Y (Guo Y.)
;
Wei HY (Wei H. Y.)
;
Li CM (Li C. M.)
;
Yang SY (Yang S. Y.)
;
Liu XL (Liu X. L.)
;
Zhu QS (Zhu Q. S.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/27
ZnO
In2O3
MOCVD
Photoelectron spectroscopies
IN2O3-ZNO FILMS
TRANSPARENT
OXIDE
SEMICONDUCTORS
INN
Observation of the surface circular photogalvanic effect in inn films
期刊论文
Solid state communications, 2009, 卷号: 149, 期号: 25-26, 页码: 1004-1007
作者:
Zhang, Z.
;
Zhang, R.
;
Xie, Z. L.
;
Liu, B.
;
Li, M.
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Inn
Surface charge accumulation layer
Spin-dependent current
Spin splitting
Determination of mgo/aln heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy (vol 94, 052101, 2009)
期刊论文
Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 12, 页码: 1
作者:
Yang, A. L.
;
Song, H. P.
;
Liu, X. L.
;
Wei, H. Y.
;
Guo, Y.
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Aluminium compounds
Core levels
Iii-v semiconductors
Magnesium compounds
Semiconductor heterojunctions
Semiconductor-insulator boundaries
X-ray photoelectron spectra
High responsivity resonant-cavity-enhanced ingaas/gaas quantum-dot photodetector for wavelength of similar to 1 mu m at room temperature
期刊论文
Electronics letters, 2009, 卷号: 45, 期号: 6, 页码: 329-330
作者:
Sun, X. M.
;
Zhang, H.
;
Zhu, H.
;
Xu, P.
;
Li, G. R.
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Determination of mgo/aln heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: 3
作者:
Yang, A. L.
;
Song, H. P.
;
Liu, X. L.
;
Wei, H. Y.
;
Guo, Y.
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Aluminium compounds
Conduction bands
Energy gap
High electron mobility transistors
Iii-v semiconductors
Magnesium compounds
Passivation
Semiconductor heterojunctions
Valence bands
Wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
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