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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Near-infrared and mid-infrared semiconductor broadband light emitters 期刊论文 Light: Science & Applications, 2018, 卷号: 7, 页码: 17170 作者:  Chun-Cai Hou ;   Hong-Mei Chen ;   Jin-Chuan Zhang ;   Ning Zhuo ;   Yuan-Qing Huang ;   Richard A Hogg ;   David TD Childs ;   Ji-Qiang Ning ;   Zhan-Guo Wang ;   Feng-Qi Liu Zi-Yang Zhang 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/11/14 Electric field control of deterministic current-induced magnetization switching in a hybrid ferromagnetic/ferroelectric structure 期刊论文 NATURE MATERIALS, 2017, 卷号: 16, 页码: 712-716 作者:  Kaiming Cai;  Meiyin Yang;  Hailang Ju;  SumeiWang;  Yang Ji 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/07/02 Piezo Voltage Controlled Planar Hall Effect Devices 期刊论文 scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 28458 Kai-Ming Cai; Yu Sheng; Nan Zhang; Yang Ji; Jian-Hua Zhao; Hou-Zhi Zheng; Kai-You Wang 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/16 Spin-orbit torque in Pt/CoNiCo/Pt symmetric devices 期刊论文 scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 20778 Meiyin Yang; Kaiming Cai; Hailang Ju; Kevin William Edmonds; Guang Yang; Shuai Liu; Baohe Li; Bao Zhang; Yu Sheng; Shouguo Wang; Yang Ji; Kaiyou Wang 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2017/03/16 Reduction of dislocations in gan epilayer grown on si (111) substrates using a gan intermedial layer 期刊论文 Chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2591-2594 作者:  Wang Jian-Feng;  Zhang Bao-Shun;  Zhang Ji-Cai;  Zhu Jian-Jun;  Wang Yu-Tian 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Reduction of dislocations in GaN epilayer grown on Si (111) substrates using a GaN intermedial layer 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2591-2594 Wang JF (Wang Jian-Feng); Zhang BS (Zhang Bao-Shun); Zhang JC (Zhang Ji-Cai); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Wang YT (Wang Yu-Tian); Chen J (Chen Jun); Liu W (Liu Wei); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Yao DZ (Yao Duan-Zheng); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GAN  ALN BUFFER LAYER  NUCLEATION LAYER  PHASE EPITAXY  EVOLUTION  DENSITY  SILICON  STRESS  SI