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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Behavioural investigation of InN nanodots by surface topographies and phase images 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 44, 页码: 445306 Deng, QW; Wang, XL; Xiao, HL; Wang, CM; Yin, HB; Chen, H; Lin, DF; Li, JM; Wang, ZG; Hou, X 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/01/06 QUANTUM DOTS  SOLAR-CELLS  GROWTH  FILMS  GAN   Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101 Deng QW; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yin HB; Chen H; Lin DF; Jiang LJ; Feng C; Li JM; Wang ZG; Hou X 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/01/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  BAND-GAP  MG  PHOTOLUMINESCENCE  INGAN  DEPENDENCE  STRAIN  ENERGY  INN   An investigation on InxGa1-xN/GaN multiple quantum well solar cells 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 26, 页码: art. no. 265103 作者:  Yin HB;  Lin DF;  Hou QF;  Deng QW 收藏  |  浏览/下载：36/2  |  提交时间：2011/07/07 FUNDAMENTAL-BAND GAP  PHASE-SEPARATION  EFFICIENCY  INN  EMISSION  LAYERS  MODEL   The influence of the InGaN back-barrier on the properties of Al(0.3)Ga(0.7)N/AlN/GaN/InGaN/GaN structure 期刊论文 european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 10102 Bi Y; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Peng EC; Lin DF; Feng C; Jiang LJ 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2012/01/06 ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  ALGAN/GAN  POLARIZATION  PASSIVATION  HFETS  GHZ   The transport mechanism of gate leakage current in AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文 european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 30104 作者:  Deng QW;  Hou QF;  Bi Y 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2011/09/14 GAN   The influence of the 1st AlN and the 2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216 作者:  Bi Y;  Lin DF;  Peng EC 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2011/09/14 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS  ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS  MILLIMETER-WAVE APPLICATIONS  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  HETEROJUNCTION FETS  HETEROSTRUCTURES  PASSIVATION  CONFINEMENT  PERFORMANCE  BARRIERS   An investigation on In(x)Ga(1-x)N/GaN multiple quantum well solar cells 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 26, 页码: 265103 Deng QW; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yin HB; Chen H; Hou QF; Lin DF; Li JM; Wang ZG; Hou X 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/01/06 FUNDAMENTAL-BAND GAP  PHASE-SEPARATION  EFFICIENCY  INN  EMISSION  LAYERS  MODEL   Low temperature characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文 european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 10101 Lin DF (Lin D. F.); Wang XL (Wang X. L.); Xiao HL (Xiao H. L.); Wang CM (Wang C. M.); Qiang LJ (Qiang L. J.); Feng C (Feng C.); Chen H (Chen H.); Hou QF (Hou Q. F.); Deng QW (Deng Q. W.); Bi Y (Bi Y.); Kang H (Kang H.) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/02/21