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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Observation of the photoinduced anomalous hall effect in gan-based heterostructures 期刊论文 Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: 3 作者:  Yin, C. M.;  Tang, N.;  Zhang, S.;  Duan, J. X.;  Xu, F. J. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Observation of the photoinduced anomalous Hall effect in GaN-based heterostructures 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: article no.122104 作者:  Yu JL 收藏  |  浏览/下载：44/2  |  提交时间：2011/07/05 Properties of alyga1-yn/alxga1-xn/aln/gan double-barrier high electron mobility transistor structure 期刊论文 Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 4 作者:  Guo Lun-Chun;  Wang Xiao-Liang;  Xiao Hong-Ling;  Ran Jun-Xue;  Wang Cui-Mei 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2009/06/11 一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 王晓亮; 王新华; 冯春; 王保柱; 马志勇; 王军喜; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅 收藏  |  浏览/下载：269/83  |  提交时间：2009/06/11 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军 收藏  |  浏览/下载：385/153  |  提交时间：2009/06/11 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军 收藏  |  浏览/下载：275/43  |  提交时间：2009/06/11 157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 102 方高瞻; 肖建伟; 马骁宇; 谭满清; 刘宗顺; 刘素平; 胡长虹; 鲁琳; 李秀芳; 王梅 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23