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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：河北大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 掺杂nc-Si:H膜的电导特性 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 308-312 作者:  彭英才[1];  刘明[2];  何宇亮[3];  李月霞[4] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/31 电导特性  nc-Si：H膜   (n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究 期刊论文 物理学报, 2000, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 2466-2471 作者:  彭英才[1];  徐刚毅[2];  何宇亮[3];  刘明[4];  李月霞[5] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/31 (n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结  能带模型  电流输运机构  温度特性   nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析 期刊论文 半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 583 作者:  彭英才[1];  刘明[2];  余明斌[3];  李月霞[4];  奚中和[5] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/31 nc-Si:H/c-Si量子点二极管  共振隧穿特性   纳米硅薄膜二极管中的共振隧穿现象 期刊论文 半导体杂志, 1998, 期号: 01, 页码: 1-9 作者:  何宇亮[1];  奚中和[2];  余明斌[3];  李月霞[4];  彭英才[5] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/31 纳米硅  量子功能  共振隧道