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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Large magnetic moment of gadolinium substituted topological insulator: Bi1.98Gd0.02Se3 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 100, 期号: 24, 页码: 242403 Song, YR; Yang, F; Yao, MY; Zhu, FF; Miao, L; Xu, JP; Wang, MX; Li, H; Yao, X; Ji, FH; Qiao, S; Sun, Z; Zhang, GB; Gao, B; Liu, CH; Qian, D; Gao, CL; Jia, JF 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/04/17 Large magnetic moment of gadolinium substituted topological insulator: Bi1.98Gd0.02Se3 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 100, 期号: 24, 页码: 242403 Song, YR; Yang, F; Yao, MY; Zhu, FF; Miao, L; Xu, JP; Wang, MX; Li, H; Yao, X; Ji, FH; Qiao, S; Sun, Z; Zhang, GB; Gao, B; Liu, CH; Qian, D; Gao, CL; Jia, JF 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/05/10 Physics  Applied   基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法 成果 鉴定: 无, 2007 张恩霞; 张正选; 王曦; 孙佳胤; 钱聪; 贺威 收藏  |  浏览/下载：125/0  |  提交时间：2013/04/12 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1763918, 申请日期: 2006-04-26, 公开日期: 2006-04-26 张恩霞; 张正选; 王曦; 孙佳胤; 钱聪; 贺威 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/01/06