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| 一种获得IGBT器件热阻的系统和方法 专利
专利号: CN201210525856.1, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2014-06-18
作者: 卢烁今 ; 董少华; 朱阳军; 胡爱斌
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| 一种沟槽型IGBT结构的制作方法 专利
专利号: CN201310085577.2, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2014-06-04
作者: 赵佳; 朱阳军; 胡爱斌; 卢烁今
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| FRD的制备方法 专利
专利号: CN201210371807.7, 申请日期: 2018-07-06, 公开日期: 2014-04-09
作者: 喻巧群; 吴振兴; 朱阳军; 谈景飞; 胡爱斌
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| 一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法 专利
专利号: CN201210524692.0, 申请日期: 2018-06-01, 公开日期: 2014-06-11
作者: 胡爱斌; 朱阳军; 田晓丽; 张文亮
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| 逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法 专利
专利号: CN201210524694.X, 申请日期: 2018-04-03, 公开日期: 2014-06-11
作者: 张文亮; 胡爱斌; 朱阳军; 陆江
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| PIN超结结构 专利
专利号: CN201310085640.2, 申请日期: 2018-03-30, 公开日期: 2014-06-04
作者: 卢烁今; 张文亮; 朱阳军; 胡爱斌
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| 一种绝缘栅场效应晶体管及其制作方法 专利
专利号: CN201210551729.9, 申请日期: 2018-03-30, 公开日期: 2014-06-18
作者: 胡爱斌; 卢烁今; 褚为利; 朱阳军
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| 逆导型IGBT的背面结构及其制备方法 专利
专利号: CN201210526482.5, 申请日期: 2018-03-30, 公开日期: 2014-06-18
作者: 胡爱斌; 田晓丽; 朱阳军; 张文亮
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| 一种带FS层的PT型功率器件的制作方法 专利
专利号: CN201210543954.8, 申请日期: 2018-01-30, 公开日期: 2014-06-18
作者: 朱阳军; 吴振兴; 田晓丽; 卢烁今; 胡爱斌
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| 微纳电子器件及集成研究群体 成果
2018
主要完成人: 谢常青; 许晓欣; 商立伟; 龙世兵; 刘明
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