QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of interface traps at Si/SiO2 interface of SOI pMOSFETs induced by Fowler–Nordheim tunneling stress using the DCIV method 期刊论文 Applied Physics A, 2018 作者:  Wang RH(王瑞恒);  Ceng CB(曾传滨);  Li XJ(李晓静);  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/03/27