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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Process variation dependence of total ionizing dose effects in bulk nFinFETs 会议论文 作者:  Li B(李博);  Huang YB(黄云波);  L.Yang;  Zhang QZ(张青竹);  Zheng ZS(郑中山) 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/05/13 FinFETs on Insulator with Silicided Source/Drain 会议论文 作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Zhao C(赵超);  Yin HX(殷华湘);  Zhong HC(钟汇才);  Zhang QZ(张青竹) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/07/26 Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs 会议论文 作者:  Zheng ZS(郑中山);  Huang YB(黄云波);  Yang L(杨玲);  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/07/20