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FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin 会议论文
作者:  Wu ZH(吴振华);  Luo J(罗军);  Meng LK(孟令款);  Zhang QZ(张青竹);  Li YD(李昱东)
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Comparison Study of Bulk and SOI CMOS Technologies based Rad-hard ADCs in Space 会议论文
作者:  Han ZS(韩郑生);  Zhang G(张刚);  Gao JT(高见头);  Zhao FZ(赵发展);  Li B(李博)
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