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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2020    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electrical detection of light helicity using a quantum-dot-based hybrid device at zero magnetic field 期刊论文 PHYSICAL REVIEW MATERIALS, 2020, 卷号: 4, 页码: 124603 作者:  F. Cadiz;   D. Lagarde;   B. Tao;   J. Frougier ;   B. Xu;   X. Devaux;   S. Migot;   Z. G. Wang;   X. F. Han;   J.-M. George;   H. Carrere ;   A. Balocchi;   T. Amand;   X. Marie;   B. Urbaszek;   H. Jaffrès ;   Y. Lu ;   P. Renucci 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2021/05/21 Defect appearance on 4H-SiC homoepitaxial layers via molten KOH etching 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125359 作者:  X.F. Liu;   G.G. Yan;   L. Sang;   Y.X. Niu;   Y.W. He;   Z.W. Shen;   Z.X. Wen;   J. Chen;   W.S. Zhao;   L. Wang;   M. Guan;   F. Zhang;   G.S. Sun;   Y.P. Zeng 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/11/26 Effect of C/Si ratio on growth of 4H-SiC epitaxial layers on on-axis and 4° off-axis substrates 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125362 作者:  G.G. Yan;   Y.W. He;   Z.W. Shen;   Y.X. Cui;   J.T. Li;   W.S. Zhao;   L. Wang;   X.F. Liu;   F. Zhang;   G.S. Sun;   Y.P. Zeng 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/11/26