QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhancing the performance of GaN based LDs by using low In content InGaN instead of GaN as lower waveguide layer 期刊论文 Optics and Laser Technology, 2019, 卷号: 111, 页码: 810-813 作者:  J. Yang ;   D.G. Zhao ;  D.S. Jiang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   F. Liang ;   W. Liu ;   S.T. Liu ;   M. Li 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/07/31 Effect of Mg doping concentration of electron blocking layer on the performance of GaN‑based laser diodes 期刊论文 Applied Physics B, 2019, 卷号: 125, 页码: 235 作者:  J. Yang ;   D. G. Zhao ;   J. J. Zhu ;   Z. S. Liu ;   D. S. Jiang ;   P. Chen ;   F. Liang ;   S. T. Liu ;   Y. Xing 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/07/31 The compensation role of deep defects in the electric properties of lightly Si-doped GaN 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 773, 页码: 1182-1186 作者:  S.T. Liu ;   J. Yang ;   D.G. Zhao ;   D.S. Jiang ;   F. Liang ;   P. Chen ;   J.J. Zhu ;   Z.S. Liu ;   W. Liu ;   Y. Xing ;   L.Q. Zhang ;   M. Li 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/07/31