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一种低氧化应力的VCSEL芯片 专利
专利号: CN209329394U, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
作者: 贾钊; 赵炆兼; 郭冠军; 曹广亮; 赵丽

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一种低氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法 专利
专利号: CN109638646A, 申请日期: 2019-04-16, 公开日期: 2019-04-16
作者: 贾钊; 赵炆兼; 郭冠军; 曹广亮; 赵丽

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半导体激光器 专利
专利号: CN109103746A, 申请日期: 2018-12-28, 公开日期: 2018-12-28
作者: 宫坂文人

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一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法 专利
专利号: CN109038220A, 申请日期: 2018-12-18, 公开日期: 2018-12-18
作者: 李林; 曾丽娜; 李再金; 赵志斌; 曲轶

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生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 专利
专利号: CN104835718B, 申请日期: 2017-12-01, 公开日期: 2017-12-01
作者: 李国强; 温雷; 高芳亮; 张曙光; 李景灵

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一种半导体光放大器 专利
专利号: CN106785915A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
作者: 魏志鹏; 唐吉龙; 贾慧民; 方铉; 张晶

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