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科研机构
上海技术物理研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2012 [1]
2008 [1]
1999 [1]
1998 [1]
学科主题
红外探测器材料与器件 [1]
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Origin of the redshift of the luminescence peak in InGaN light-emitting diodes exposed to Co-60 gamma-ray irradiation
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 112, 期号: 12
作者:
Li, YL
;
Wang, XJ
;
He, SM
;
Zhang, B
;
Sun, LX
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/03/18
Real-time study of gamma irradiation on Hg1-x Cd-x Te focal plane photodiodes
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2008, 卷号: 57, 期号: 11, 页码: 7088-7093
作者:
Qiao H(乔辉)
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2011/07/08
Gamma irradiation on room temperature short-wavelength HgCdTe photovoltaic device studied by admittance spectroscopy
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 1999, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: 1107-1112
作者:
Hu XW
;
Zhao J
;
Lu HQ
;
Li XY
;
Fang JX
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/11/21
A deep level induced by gamma irradiation in Hg1-xCdxTe
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1998, 卷号: 73, 期号: 1, 页码: 91-92
作者:
Hu XW
;
Fang JX
;
Wang Q
;
Zhao J
;
Lu HQ
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/11/21
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