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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 640x512 pixel InGaAs FPAs for short-wave infrared and visible light imaging 会议论文 作者:  Shao XM;  Bo Y;  Huang SL;  Yang W;  Li X 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2018/11/20 Study on the performance of 2.6 mu m In0.83Ga0.17As detector with different etch gases 期刊论文 INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 85, 页码: 211-215 作者:  Li P;  Tang HJ;  Li T;  Li X;  Shao XM 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/11/20 ICP induced damage  Cl-2/N-2  Cl-2/CH4  Extended wavelength  InGaAs   A Study on Inductively Coupled Plasma Etch Rate of HgCdTe at Cryogenic Temperature 会议论文 作者:  Liu FL;  Chen YY;  Ye ZH;  Ding RJ;  He L 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/11/20 Extended Wavelength InGaAs SWIR FPAs with High Performance 会议论文 作者:  Li X;  Li T;  Yu CL;  Tang HJ;  Deng SY 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/11/20 extended InGaAs  perimeter-to-area photodiodes  SWIR FPAs