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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Current-controlled negative differential resistance in small-polaron hopping system 期刊论文 AIP ADVANCES, 2019, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: 55223 作者:  Wu Jing;  Hu Tao;  Yin Yiming;  Li Jingbo;  Zhou Wei 收藏  |  浏览/下载：267/0  |  提交时间：2019/11/13 ELECTRICAL-CONDUCTIVITY  CATION VALENCIES  TRANSITION  FILMS  RESISTIVITY  ELECTRODE  OXIDES  MN3O4  POWER   Room-temperature plasmonic resonant absorption for grating-gate GaN HEMTs in far infrared terahertz domain 期刊论文 Opt Quant Electron, 2013, 卷号: 45, 期号: 7 作者:  W.D.Hu L.Wang X.S.Chen N.Guo J.S.Miao A.Q.Yu W.Lu 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/11/10 Plasmonicresonantabsorption  Gratinggate  Finitedifferencetimedomain  (Fdtd)Numericalsimulation  Plasmonwave  Farinfraredterahertzdetection  Ganhemts   Plasmon resonant excitation in grating-gated AlN barrier transistors at terahertz frequency 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 100, 期号: 12 作者:  Wang, L;  Hu, WD;  Wang, J;  Wang, XD;  Wang, SW 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/03/18 The Study of Self-Heating and Hot-Electron Effects for AlGaN/GaN Double-Channel HEMTs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2012, 卷号: 59, 期号: 5 作者:  Wang, XD;  Hu, WD;  Chen, XS;  Lu, W 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/03/18 Synthesis and thermoelectric characterization of nickel/silicon nanowire arrays by electroplating technique 期刊论文 OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS, 2012, 卷号: 6, 期号: 11 作者:  Tao, BR;  Miao, FJ;  Gu, D;  Wang, Z 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/03/18 Effect of edge passivation on electronic and transport properties of carbon nanotube-based molecular devices 期刊论文 EPL, 2012, 卷号: 100, 期号: 5 作者:  Ding, ZL;  Jiang, J;  Sun, ZQ;  Li, G;  Ma, YQ 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2013/03/18 Some Failure Mechanisms in Charge-Sensitive Infrared Phototransistors 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2012, 卷号: 59, 期号: 8 作者:  Kang, TT;  Ueda, T;  Komiyama, S 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/03/18 Quantum ballistic transport in a dual-gate Si transistor 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1996, 卷号: 43, 期号: 11, 页码: 2030-2032 作者:  Fu Y;  Mu YM;  Willander M 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/11/21