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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 HgMnTe窄禁带磁性半导体和GaInP多量子阱的磁光电性质研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2011 作者:  朱亮清 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/09/11 Hgmnte磁性半导体  Fuorier变换红外光谱  Kp微扰理论  束缚磁极化子  Gainp应变量子阱   HgMnTe磁性半导体研究概述 期刊论文 红外, 2011, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 1-8 作者:  朱亮清;  褚君浩 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2011/07/06 Hgmnte  磁性半导体  磁交换作用  自旋电子学   半导体中自旋相关性质的第一性原理研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2009 作者:  王晓芳 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/09/11 自旋相关  磁性半导体  第一性原理  共掺杂   Ge基和GaAs基中自旋相关性质的第一性原理研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2005 作者:  周孝好 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2012/07/11 自旋极化  Ge  Gaas  密度泛函理论  铁磁性