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半导体研究所 [10]
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Response to 14 MeV neutrons for single-crystal diamond detectors
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2021, 卷号: 70, 期号: 20, 页码: 202901
作者:
Huang Guang-Wei
;
Wu Kun
;
Chen Ye
;
Li Lin-Xiang
;
Zhang Si-Yuan
;
Wang Zun-Gang
;
Zhu Hong-Ying
;
Zhou Chun-Zhi
;
Zhang Yi-Yun
;
Liu Zhi-Qiang
;
Yi Xiao-Yan
;
Li Jin-Min
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浏览/下载:55/0
  |  
提交时间:2022/03/28
Investigation of excitonic recombination in single-crystal diamond with cathodoluminescence spectroscopy
期刊论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2020, 卷号: 226, 页码: 117428
作者:
Yanan Chen
;
Peng Jin
;
Guangdi Zhou
;
Mengyang Feng
;
Fangbin Fu
;
Ju Wu
;
Zhanguo Wang
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
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提交时间:2021/05/24
Research on band-edge emission properties and mechanism of high- quality single-crystal diamond
期刊论文
Carbon, 2018, 卷号: 132, 页码: 651-655
作者:
Ye Zhang
;
Ya-nan Chen
;
Ya-li Liu
;
Fang-bin Fu
;
Wan-cheng Yu
;
Peng Jin
;
Zhan-guo Wang
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2019/11/15
Epitaxial growth and thermal stability of ge(1-x)sn(x) alloys on ge-buffered si(001) substrates
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
作者:
Su, Shaojian
;
Wang, Wei
;
Cheng, Buwen
;
Zhang, Guangze
;
Hu, Weixuan
收藏
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浏览/下载:106/0
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提交时间:2019/05/12
Thermal stability
Molecular beam epitaxy
Germanium tin alloys
Germanium
Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:71/4
  |  
提交时间:2011/07/05
Thermal stability
Molecular beam epitaxy
Germanium tin alloys
Germanium
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LOW-TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
Controlling electronic structures by irradiation in single-walled SiC nanotubes: a first-principles molecular dynamics study
期刊论文
nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: art. no. 075708
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载:164/21
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SILICON-CARBIDE NANOTUBES
FORMATION ENERGIES
CARBON NANOTUBES
BORON-NITRIDE
NANOWIRES
COMPOSITES
DEFECTS
FUSION
Synthesis and structural properties of gan particles from gao2h powders
期刊论文
Diamond and related materials, 2005, 卷号: 14, 期号: 10, 页码: 1730-1734
作者:
Xiao, HD
;
Ma, HL
;
Xue, CS
;
Hu, WR
;
Ma, J
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Gao2h
Beta-ga2o3
Synthesis
Nitridation temperature
Gan
Semi-insulating GaAs grown in outer space
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 134-138
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Xie X
;
Zhang M
收藏
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浏览/下载:53/0
  |  
提交时间:2010/08/12
GaAs
outer space
microgravity
integrated circuit
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
LEC-GAAS
DEFECTS
STOICHIOMETRY
SEGREGATION
CARBON
BORON
Point defects in III-V compound semiconductors
期刊论文
defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 85-93
Chen N
收藏
  |  
浏览/下载:44/0
  |  
提交时间:2010/08/12
compound semiconductors
point defects
deep level centres
stoichiometry
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS SINGLE-CRYSTALS
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
SEMI-INSULATING GAAS
ELECTRICAL-PROPERTIES
LATTICE-PARAMETER
NATIVE DEFECTS
CARBON
DIFFRACTOMETER
STOICHIOMETRY
Semi-insulating GaAs grown in outer space
会议论文
iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Xie X
;
Zhang M
收藏
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浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2010/11/15
GaAs
outer space
microgravity
integrated circuit
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
LEC-GAAS
DEFECTS
STOICHIOMETRY
SEGREGATION
CARBON
BORON
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