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半导体研究所 [26]
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A theoretical calculation of the impact of gan cap and alxga1-xn barrier thickness fluctuations on two-dimensional electron gas in a gan/alxga1-xn/gan heterostructure
期刊论文
Ieee transactions on electron devices, 2011, 卷号: 58, 期号: 12, 页码: 4272-4275
作者:
Liu, Guipeng
;
Wu, Ju
;
Lu, Yanwu
;
Zhang, Biao
;
Li, Chengming
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Cap-thickness-fluctuation (ctf) and barrierthickness fluctuation (btf) scattering
Interface roughness scattering
Two dimensional electron gas (2deg)
Theoretical investigation of a surface-emitting superluminescent diode with a circular grating
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 6
作者:
An, Qi
;
Lin, Jiandong
;
Jin, Peng
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.54503
作者:
Jiang XW
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浏览/下载:50/2
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
SEMICONDUCTOR-DEVICES
SILICON DEVICES
MONTE-CARLO
MOSFETS
NANOTRANSISTORS
APPROXIMATION
EQUATIONS
DESIGN
MODELS
Surface plasmon enhanced GaAs thin film solar cells
期刊论文
solar energy materials and solar cells, 2011, 卷号: 95, 期号: 2, 页码: 693-698
作者:
Liu W
收藏
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浏览/下载:39/2
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提交时间:2011/07/06
Ag nanoparticles
Surface plasmon resonance
GaAs
Solar cells
Self-consistent analysis of alsb/inas high electron mobility transistor structures
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 7
作者:
Li, Yanbo
;
Zhang, Yang
;
Zeng, Yiping
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
First principles study of N-N split interstitial in GaN nanowires
期刊论文
physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 44, 页码: 4543-4547
Wang ZG (Wang Zhiguo)
;
Li JB (Li Jingbo)
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/14
N-N split interstitials
GaN nanowires
First principles calculation
SEMICONDUCTORS
ENERGY
Quantum Mechanical Study on Tunnelling and Ballistic Transport of Nanometer Si MOSFETs
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 057101
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Jiang XW (Jiang Xiang-Wei)
;
Tang LM (Tang Li-Ming)
收藏
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浏览/下载:102/3
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提交时间:2010/05/24
SIMULATION
TRANSISTORS
LIMIT
NM
Correcting the systematic error of the density functional theory calculation: the alternate combination approach of genetic algorithm and neural network
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: art. no. 076401
Wang TT (Wang Ting-Ting)
;
Li WL (Li Wen-Long)
;
Chen ZH (Chen Zhang-Hui)
;
Miao L (Miao Ling)
收藏
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浏览/下载:94/1
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提交时间:2010/08/17
density functional theory
neural network
genetic algorithm
alternate combination
LINEAR-REGRESSION CORRECTION
TRAINING SET
ELECTRON-GAS
PREDICTION
APPROXIMATION
DESCRIPTORS
ACCURATE
ENERGY
HEAT
Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044504
Li YB (Li Yanbo)
;
Zhang Y (Zhang Yang)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
收藏
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浏览/下载:213/46
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提交时间:2010/10/11
INAS/ALSB QUANTUM-WELLS
LOW-POWER APPLICATIONS
HEMTS
MODULATION
HETEROSTRUCTURES
TECHNOLOGY
CHANNEL
VOLTAGE
MASS
Tensile and compressive mechanical behavior of twinned silicon carbide nanowires
期刊论文
acta materialia, 2010, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 1963-1971
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载:63/1
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提交时间:2010/04/22
Twinning
Nanotructures
Fracture
Buckling
Molecular dynamics
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AB-INITIO CALCULATIONS
BETA-SIC NANOWIRES
LOW-TEMPERATURE
THIN-FILMS
SIMULATION
ELASTICITY
NANOTUBES
POLYTYPES
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