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半导体研究所 [67]
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期刊论文 [62]
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Characteristics of high al content algan grown by pulsed atomic layer epitaxy
期刊论文
Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 20, 页码: 8718-8721
作者:
Pan, Xu
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Yang, Cuibai
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浏览/下载:173/0
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提交时间:2019/05/12
Photoluminescence
Raman scattering
Pulsed atomic layer epitaxy
Algan alloys
Defect properties of as-grown and electron-irradiated te-doped gasb studied by positron annihilation
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 6
作者:
Li Hui
;
Zhou Kai
;
Pang Jingbiao
;
Shao Yundong
;
Wang Zhu
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
An investigation on inxga1-xn/gan multiple quantum well solar cells
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 26, 页码: 6
作者:
Deng, Qingwen
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Yin, Haibo
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Ingan/gan multiple quantum well solar cells with an enhanced open-circuit voltage
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: 4
作者:
Zhang Xiao-Bin
;
Wang Xiao-Liang
;
Xiao Hong-Ling
;
Yang Cui-Bai
;
Hou Qi-Feng
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Ingan
Solar cell
Multiple quantum wells
Theoretical study on inxga1-xn/gan quantum dots solar cell
期刊论文
Physica b-condensed matter, 2011, 卷号: 406, 期号: 1, 页码: 73-76
作者:
Deng, Qingwen
;
Wang, Xiaoliang
;
Yang, Cuibai
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2019/05/12
Efficiency
Quantum dot
Gan
Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016
Li H
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Shao YD
;
Wang Z
;
Zhao YW
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浏览/下载:53/10
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提交时间:2011/07/05
UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE
SELF-DIFFUSION
NATIVE DEFECTS
N-TYPE
CRYSTALS
CATHODOLUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
SPECTROSCOPY
LUMINESCENCE
Theoretical study on InxGa1-xN/GaN quantum dots solar cell
期刊论文
physica b-condensed matter, 2011, 卷号: 406, 期号: 1, 页码: 73-76
作者:
Hou QF
;
Yin HB
;
Deng QW
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浏览/下载:97/9
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提交时间:2011/07/05
Efficiency
Quantum dot
GaN
EFFICIENCY
Effects of silicon incorporation on composition, structure and electric conductivity of cubic boron nitride thin films
期刊论文
Diamond and related materials, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 1371-1376
作者:
Ying, J.
;
Zhang, X. W.
;
Fan, Y. M.
;
Tan, H. R.
;
Yin, Z. G.
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2019/05/12
Cubic boron nitride
Doping
Ion beam assisted deposition
X-ray photoelectron spectroscopy
Metamorphic ingaas p-i-n photodetectors with 1.75 mu m cut-off wavelength grown on gaas
期刊论文
Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 4
作者:
Zhu Bin
;
Han Qin
;
Yang Xiao-Hong
;
Ni Hai-Qiao
;
He Ji-Fang
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Ferromagnetic modification of gan film by cu+ ions implantation
期刊论文
Nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2010, 卷号: 268, 期号: 2, 页码: 123-126
作者:
Zhang, B.
;
Chen, C. C.
;
Yang, C.
;
Wang, J. Z.
;
Shi, L. Q.
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
Nonmagnetic element doped semiconductor
Cu ion implantation
Gan-based dms
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