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半导体研究所 [48]
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期刊论文 [40]
会议论文 [8]
发表日期
2011 [4]
2010 [2]
2009 [3]
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Stability of the positively charged manganese centre in gaas heterostructures examined theoretically by the effective mass approximation calculation near the gamma critical point
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 8
作者:
Wang Li-Guo
;
Shen Chao
;
Zheng Hou-Zhi
;
Zhu Hui
;
Zhao Jian-Hua
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Charged acceptor centre
Screening effect
Exchange interaction
Infrared response of the lateral pin structure of a highly titanium-doped silicon-on-insulator material
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 4
作者:
Ma Zhi-Hua
;
Cao Quan
;
Zuo Yu-Hua
;
Zheng Jun
;
Xue Chun-Lai
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2019/05/12
Infrared response
Ion implantation
Rapid thermal annealing
Intermediate band solar cell
Determination of the transport properties in 4h-sic wafers by raman scattering measurement
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 6
作者:
Sun Guo-Sheng
;
Liu Xing-Fang
;
Wu Hai-Lei
;
Yan Guo-Guo
;
Dong Lin
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
4h-sic
Raman scattering
Lopc modes
Transport properties
Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.33301
作者:
Liu XF
;
Yan GG
;
Zheng L
;
Dong L
收藏
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浏览/下载:39/3
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提交时间:2011/07/05
4H-SiC
Raman scattering
LOPC modes
transport properties
SILICON-CARBIDE
LIGHT
GAP
Self-consistent analysis of alsb/inas high electron mobility transistor structures
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 7
作者:
Li, Yanbo
;
Zhang, Yang
;
Zeng, Yiping
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044504
Li YB (Li Yanbo)
;
Zhang Y (Zhang Yang)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
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浏览/下载:213/46
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提交时间:2010/10/11
INAS/ALSB QUANTUM-WELLS
LOW-POWER APPLICATIONS
HEMTS
MODULATION
HETEROSTRUCTURES
TECHNOLOGY
CHANNEL
VOLTAGE
MASS
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/03/09
in-situ doping
boron
aluminum
memory effects
hot-wall LPCVD
4H-SiC
The electronic structure of strained ZnO/MgxZn1-xO superlattices and the influence of polarization
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 3, 页码: 506-512
Xiong W
;
Li SS
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浏览/下载:167/41
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提交时间:2010/03/08
ZnO
ZnO/MgxZn1-xO superlattice
Electronic structure
Polarization
The electronic structure of strained zno/mgxzn1-xo superlattices and the influence of polarization
期刊论文
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 3, 页码: 506-512
作者:
Xiong, Wen
;
Li, Shu-Shen
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Zno
Zno/mgxzn1-xo superlattice
Electronic structure
Polarization
Electronic structures of wurtzite zno, beo, mgo and p-type doping in zn1-xyxo (y = mg, be)
期刊论文
Computational materials science, 2008, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 72-78
作者:
Xu, Qiang
;
Zhang, Xiu-Wen
;
Fan, Wei-Jun
;
Li, Shu-Shen
;
Xia, Jian-Bai
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Density functional theory
Electronic structure
Alloy
Doping
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