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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2011 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Li CM
;
Jiao CM
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提交时间:2011/07/05
CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION
GALLIUM NITRIDE
STRESSES
LAYERS
HETEROSTRUCTURE
DEPOSITION
CONSTANTS
MECHANISM
SAPPHIRE
STRAIN
The dependence of growth rate of GaN buffer layer on growth parameters by metalorganic vapor-phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 1-2, 页码: 23-27
Liu XL
;
Lu DC
;
Wang LS
;
Wang XH
;
Wang D
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2010/08/12
MOVPE
GaN buffer layer
growth rate
growth parameters
TRIMETHYLGALLIUM
MECHANISMS
QUALITY
AMMONIA
DIODES
MOCVD
GAAS
THERMAL-DECOMPOSITION
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