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半导体研究所 [57]
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专题:半导体研究所
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Continuous orientated growth of scaled single-crystal 2D monolayer films
期刊论文
NANOSCALE ADVANCES, 2021, 卷号: 3, 期号: 23, 页码: 6545-6567
作者:
Han, Ziyi
;
Li, Lin
;
Jiao, Fei
;
Yu, Gui
;
Wei, Zhongming
;
Geng, Dechao
;
Hu, Wenping
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2022/03/28
High characteristic temperature 1.3 mu m inas/gaas quantum-dot lasers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 3
作者:
Ji Hai-Ming
;
Yang Tao
;
Cao Yu-Lian
;
Xu Peng-Fei
;
Gu Yong-Xian
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
High Characteristic Temperature 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: art. no. 027801
Ji HM (Ji Hai-Ming)
;
Yang T (Yang Tao)
;
Cao YL (Cao Yu-Lian)
;
Xu PF (Xu Peng-Fei)
;
Gu YX (Gu Yong-Xian)
;
Ma
;
WQ (Ma Wen-Quan)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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浏览/下载:151/30
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提交时间:2010/04/13
THRESHOLD CURRENT
ROOM-TEMPERATURE
DEPENDENCE
PHOTOLUMINESCENCE
Solid source mbe growth of quantum cascade lasers
期刊论文
Applied physics a-materials science & processing, 2009, 卷号: 97, 期号: 3, 页码: 527-532
作者:
Liu, Feng-Qi
;
Li, Lu
;
Wang, Lijun
;
Liu, Junqi
;
Zhang, Wei
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/05/12
Solid source MBE growth of quantum cascade lasers
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2009, 卷号: 97, 期号: 3, 页码: 527-532
Liu FQ (Liu Feng-Qi)
;
Li L (Li Lu)
;
Wang LJ (Wang Lijun)
;
Liu JQ (Liu Junqi)
;
Zhang W (Zhang Wei)
;
Zhang QD (Zhang Quande)
;
Liu WF (Liu Wanfeng)
;
Lu QY (Lu Quanyong)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
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浏览/下载:161/59
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提交时间:2010/03/08
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application
期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:
Zhang ML
;
Hou QF
收藏
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浏览/下载:129/30
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMT
MOCVD
SiC substrate
Power device
A study on self-assembled gan nanobelts by a new method: structure, morphology, composition, and luminescence
期刊论文
Crystal growth & design, 2008, 卷号: 8, 期号: 7, 页码: 2177-2181
作者:
Xue, Shoubin
;
Zhang, Xing
;
Huang, Ru
;
Tian, Deheng
;
Zhuang, Huizhao
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
High-performance 2 mm gate width ganhemts on 6h-sic with output power of 22.4 w @ 8 ghz
期刊论文
Solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929
作者:
Wang, X. L.
;
Chen, T. S.
;
Xiao, H. L.
;
Wang, C. M.
;
Hu, G. X.
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/05/12
Algan/aln/gan
Hemts
Sic
Power
High-density and narrow size-distribution inas quantum dots formed by a modified two-step growth
期刊论文
Chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 323-327
作者:
She-Song, Huang
;
Zhi-Chuan, Niu
;
Feng, Zhan
;
Hai-Qiao, Ni
;
Huan, Zhao
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
Molecular beam epitaxy
Quantum dots
A modified two-step growth
High-density and narrow size-distribution InAs quantum dots formed by a modified two-step growth
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 323-327
She-Song, H
;
Zhi-Chuan, N
;
Feng, Z
;
Hai-Qiao, N
;
Huan, Z
;
Dong-Hai, W
;
Zheng, S
收藏
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浏览/下载:42/3
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提交时间:2010/03/08
molecular beam epitaxy
quantum dots
a modified two-step growth
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