|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 大晶格失配和异价的Si与III-V族半导体带阶的直接计算 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 胡玉莹
  收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2021/11/26 |
| 过渡金属（X _ Zn，V，Hf）基化合物及其异质结构的能源光子学性质理论研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: ZEESHANTARIQ
收藏 | 浏览/下载：27/0 | 提交时间：2021/06/16 |
| 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 周媛
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2021/06/18 |
| 基于V族元素的两种新型低维半导体及其偏振光探测器 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 任智慧
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2021/06/18 |
| 硅（100）V型槽衬底氮化物材料外延及其发光器件研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 王琦
收藏 | 浏览/下载：32/0 | 提交时间：2020/08/05 |
| C2v and D3h symmetric InAs quantum dots on GaAs (001) substrate: Exciton emission and a defect field influence 期刊论文
AIP ADVANCES, 2020, 卷号: 10, 期号: 8, 页码: 085126
作者: Xiangjun Shang; Ben Ma; Haiqiao Ni; Zesheng Chen; Shulun Li; Yao Chen; Xiaowu He; Xingliang Su; Yujun Shi; Zhichuan Niu
收藏 | 浏览/下载：53/0 | 提交时间：2021/06/28 |
| Two-dimensional XSe2 (X= Mn, V) based magnetic tunneling junctions with high Curie temperature 期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 107504
作者: Longfei Pan; Hongyu Wen; Le Huang; Long Chen; Hui-Xiong Deng; Jian-Bai Xia ; Zhongming Wei
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2020/07/31 |
| Anomalously large resistance at the charge neutrality point in a zero-gap inas/gasb bilayer 期刊论文
New journal of physics, 2018, 卷号: 20, 期号: 5
作者: Yu,W; Clericò,V; Fuentevilla,C Hernández; Shi,X; Jiang,Y
收藏 | 浏览/下载：306/0 | 提交时间：2019/05/12
|
| 基于SOI光波导的模式和偏振器件研究 学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 郭德汾
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2018/05/31
|
| 面向高压大功率应用的SiC功率器件基本问题研究 学位论文
北京: 中国科学院半导体研究所, 2018
作者: 刘胜北
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2018/02/22 |
