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半导体研究所 [9]
内容类型
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专著 [1]
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专题:半导体研究所
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高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响
期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: 056104-1-056104-6
作者:
于芳
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/07/17
基于SOI硅片的硅微电极制作与评估
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 2169-2174
隋晓红
;
陈弘达
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/23
截止波长12μm的InAs0.04Sb0.96/GaAs的熔体外延生长及特性研究
期刊论文
光电子·激光, 2007, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 67-70
作者:
陈涌海
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
中国材料工程大典—信息功能材料工程
专著
北京:化学工业出版社, 北京, 2006
王占国
;
陈立泉
;
屠海令
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浏览/下载:176/0
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提交时间:2009/09/19
现代光电子的发展现状、特征和趋势
期刊论文
河北工业大学学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 5, 页码: 1-7
康志龙
;
辛国锋
;
陈国鹰
;
谢红云
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2010/11/23
Lanxide技术合成含烧结助剂的复合AIN粉体
期刊论文
无机材料学报, 2003, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 1351-1356
林志浪
;
郑新和
;
王群
;
周美玲
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/11/23
纳米硅薄膜的Raman光谱
期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 1170
徐刚毅
;
王天民
;
李国华
;
王金良
;
何宇亮
;
马智训
;
郑国珍
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系
期刊论文
红外与毫米波学报, 1996, 卷号: 15, 期号: 4, 页码: 291
金世荣
;
褚君浩
;
汤定元
;
罗晋生
;
徐仲英
;
罗昌平
;
袁之良
;
许继宗
;
郑宝真
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/11/23
InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱中的子带驰豫过程
期刊论文
红外与毫米波学报, 1995, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 237
金世荣
;
罗晋生
;
褚君浩
;
徐仲英
;
袁之良
;
罗昌平
;
许继宗
;
郑宝真
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/11/23
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