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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：浙江工商大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Total Ionizing Dose Effects of Si Vertical Diffused MOSFET with SiO2and Si3N4/SiO2Gate Dielectrics 期刊论文 2017, 卷号: 2017 作者:  Mo, Jiongjiong[1];  Zhao, Xuran[2];  Zhou, Min[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/30 Total Ionizing Dose Effects of Si Vertical Diffused MOSFET with SiO2 and Si3N4/SiO2 Gate Dielectrics 期刊论文 2017 作者:  Mo, Jiongjiong[1];  Zhao, Xuran[2];  Zhou, Min[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/30