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	Low-Power, High-Sensitivity Temperature Sensor Based on Ultrathin SOI Lateral p-i-n Gated Diode 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.9, 页码: 4001-4007 作者: Guoli Li; Nicolas André; Qi Chen; Huiru Wang; Laurent A. Francis 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2019/12/13 Temperature sensors P-i-n diodes Sensitivity Temperature measurement Logic gates Linearity Linearity low power p-i-n diode sensitivity SOI thermal sensing (temperature sensor)
	A Snapback-Free and Low-Loss Shorted-Anode SOI LIGBT With Self-Adaptive Resistance 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.3, 页码: 1390-1395 作者: Xiaorong Luo; Yang Yang; Tao Sun; Jie Wei; Diao Fan 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2019/12/17 Anodes Resistance Current density Silicon-on-insulator Insulated gate bipolar transistors Spontaneous emission Sun Low-loss p-type polysilicon self-adaptive resistance (SAR) shorted-anode (SA) snapback-free silicon on insulator lateral insulated gate bipolar transistor (SOI LIGBT)
	Low-Power, High-Sensitivity Temperature Sensor Based on Ultrathin SOI Lateral p-i-n Gated Diode 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: Vol.66 No.9, 页码: 4001-4007 作者: Li, GL; Andre, N; Chen, Q; Wang, HR; Francis, LA 收藏 \| 浏览/下载：8/0 \| 提交时间：2019/12/17 Linearity low power p-i-n diode sensitivity SOI thermal sensing (temperature sensor)
	Compact Model for Tunnel Diode Body Contact SOI n-MOSFETs 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.1, 页码: 249-254 作者: Yongwei Chang; Jiexin Luo; Jing Chen; Lingda Xu; Zhan Chai 收藏 \| 浏览/下载：4/0 \| 提交时间：2019/12/13 MOSFET circuits Integrated circuit modeling Semiconductor device modeling Radio frequency MOSFET Analytical models Mathematical model Body contact compact model floating body effects (FBEs) impact ionization partially depleted silicon-on-insulator (PD-SOI) radio frequency (RF) tunnel diode body contact (TDBC)
	A Carrier Stored SOI LIGBT With Ultralow ON-State Voltage and High Current Capability 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 卷号: Vol.65 No.8, 页码: 3365-3370 作者: Tao Sun; Xiaorong Luo; Jie Wei; Gaoqiang Deng; Linhua Huang 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2019/12/26
	栅控SOI横向PIN光电二极管的理论与实验研究学位论文 : 湖南大学, 2017 作者: 李国立收藏 \| 浏览/下载：1/0 \| 提交时间：2019/12/26 绝缘体上硅 PIN(P+/P-/N+) 光电二极管栅控局部退火底部反射层石墨烯
	Multiple-Wavelength Detection in SOI Lateral PIN Diodes with Backside Reflectors 期刊论文 IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2017, 卷号: Vol.64 No.9, 页码: 7368-7376 作者: Li, G.; Andre, N.; Gerard, P.; Ali, S.Z.; Udrea, F. 收藏 \| 浏览/下载：6/0 \| 提交时间：2019/12/31 Backside reflector black silicon light detection local annealing multiple wavelength optical sensor P-I-N diode silicon-on-insulator (SOI)
	Leakage Current and Low-Frequency Noise Analysis and Reduction in a Suspended SOI Lateral p-i-n Diode 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: Vol.64 No.10, 页码: 4252-4259 作者: Li, GL; Kilchytska, V; Andre, N; Francis, LA; Zeng, Y 收藏 \| 浏览/下载：83/0 \| 提交时间：2019/12/31 P-i-n diodes Leakage currents Annealing Performance evaluation Silicon Optical sensors Silicon-on-insulator Annealing characterization dark leakage current interface traps low-frequency noise (LFN) P⁺P⁻N⁺ (p-i-n) diode silicon on insulator (SOI) simulation
	Multiple-Wavelength Detection in SOI Lateral PIN Diodes With Backside Reflectors 期刊论文 IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2017, 卷号: Vol.64 No.9, 页码: 7368-7376 作者: Li, GL; Andre, N; Gerard, P; Ali, SZ; Udrea, F 收藏 \| 浏览/下载：90/0 \| 提交时间：2019/12/31 PIN photodiodes Silicon Optical sensors Annealing Light emitting diodes Substrates Backside reflector black silicon light detection local annealing multiple wavelength optical sensor P-I-N diode silicon-on-insulator (SOI)
	透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器的光电特性* 期刊论文国防科技大学学报, 2015, 卷号: 第1期, 页码: 34-38 作者: 李国立; 曾云; 夏宇; 徐慧收藏 \| 浏览/下载：1/0 \| 提交时间：2019/12/31 栅控绝缘体上硅光电探测器光学特性

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